我們通常選MOS管會(huì)希望其有如下的參數(shù)：

1、耐壓足夠高，避免DS的擊穿。 

2、導(dǎo)通電流足夠大，保證功率的輸出足夠。

3、體積小發(fā)熱低，避免過熱損壞器件。

4、開關(guān)速度要快，因?yàn)橐?jīng)過可變電阻區(qū)，所以要盡快， 避免過多的發(fā)熱損耗。

各個(gè)參數(shù)介紹：

一、擊穿電壓

DS可承受的最大電壓，這個(gè)參數(shù)也并不是越大越好，耐壓高的管子，一般通態(tài)電阻也比較大！

二、導(dǎo)通電流

Id，持續(xù)漏極電流，通常和通態(tài)電阻有很大關(guān)系。

三、體積和發(fā)熱

熱阻：熱量在傳導(dǎo)過程中受到的阻礙作用，用R表示。單位℃/W. 

我們自然希望熱阻越小越好，那樣熱量就會(huì)散發(fā)出去，而避免管子過熱而損壞器件。通常相同參數(shù)的MOS管，體積越大，熱阻就越小，散熱越順利。通常對(duì)于MOS管我們還會(huì)進(jìn)行輔助散熱，諸如增大散熱片，線路板面積的鋪銅等措施。

四、開關(guān)速度

開關(guān)速度如何處理不好，那么導(dǎo)致對(duì)應(yīng)的發(fā)熱可能比通態(tài)電阻造成的發(fā)熱還大！

究其原因還是因?yàn)镸OS管不是理想的導(dǎo)通和截止，而是需要一段時(shí)間。例如導(dǎo)通，電壓逐漸降低，電流逐漸升高，這段時(shí)間內(nèi)，電壓和電流都不為0，對(duì)應(yīng)就會(huì)產(chǎn)生一定的發(fā)熱功率。

當(dāng)然如果是長時(shí)間持續(xù)的導(dǎo)通或者關(guān)斷的狀態(tài)也倒是無所謂，但是一般MOS管都是出于高速開關(guān)管的狀態(tài)。這時(shí)候?qū)?yīng)的損耗就不容小覷了。

信息來源：本站　日期：2022-03-24　

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關(guān)于MOSFET這些一定要知道【圖文分享】-KIA MOS管

MOSFET就是我們俗稱的MOS管，常用的就是用MOS管來做開關(guān)器件。

我們通常選MOS管會(huì)希望其有如下的參數(shù)：

1、耐壓足夠高，避免DS的擊穿。 

2、導(dǎo)通電流足夠大，保證功率的輸出足夠。

3、體積小發(fā)熱低，避免過熱損壞器件。

4、開關(guān)速度要快，因?yàn)橐?jīng)過可變電阻區(qū)，所以要盡快， 避免過多的發(fā)熱損耗。

各個(gè)參數(shù)介紹：

一、擊穿電壓

DS可承受的最大電壓，這個(gè)參數(shù)也并不是越大越好，耐壓高的管子，一般通態(tài)電阻也比較大！

二、導(dǎo)通電流

Id，持續(xù)漏極電流，通常和通態(tài)電阻有很大關(guān)系。

三、體積和發(fā)熱

熱阻：熱量在傳導(dǎo)過程中受到的阻礙作用，用R表示。單位℃/W. 

我們自然希望熱阻越小越好，那樣熱量就會(huì)散發(fā)出去，而避免管子過熱而損壞器件。通常相同參數(shù)的MOS管，體積越大，熱阻就越小，散熱越順利。通常對(duì)于MOS管我們還會(huì)進(jìn)行輔助散熱，諸如增大散熱片，線路板面積的鋪銅等措施。

四、開關(guān)速度

開關(guān)速度如何處理不好，那么導(dǎo)致對(duì)應(yīng)的發(fā)熱可能比通態(tài)電阻造成的發(fā)熱還大！

究其原因還是因?yàn)镸OS管不是理想的導(dǎo)通和截止，而是需要一段時(shí)間。例如導(dǎo)通，電壓逐漸降低，電流逐漸升高，這段時(shí)間內(nèi)，電壓和電流都不為0，對(duì)應(yīng)就會(huì)產(chǎn)生一定的發(fā)熱功率。

當(dāng)然如果是長時(shí)間持續(xù)的導(dǎo)通或者關(guān)斷的狀態(tài)也倒是無所謂，但是一般MOS管都是出于高速開關(guān)管的狀態(tài)。這時(shí)候?qū)?yīng)的損耗就不容小覷了。